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硅基LED光效将达190 lm/W,低成本LED灯具不再是梦
阅读次数:7585          录入时间:2014/12/22 10:02:32

硅基GaN LED时代即将真正到来了吗?11月16日,东芝在第十六届深圳高交会上透露,将于2015年推出190 lm/W的硅基LED产品。这意味着硅基LED不仅成本更低,而光效也领先许多蓝宝石LED,其优势再次凸显。

东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司在接受《LEDs科技》杂志编辑采访时表示,目前东芝的最新第三代硅基LED芯片光效已突破145 lm/W,光效为170 lm/W的产品将于2015年3月前推出,而190 lm/W的产品也将在2015年推出。

东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司在接受《LEDs科技》杂志编辑采访时表示,目前东芝的最新第三代硅基LED芯片光效已突破145 lm/W,光效为170 lm/W的产品将于2015年3月前推出,而190 lm/W的产品也将在2015年推出。

190 lm/W是非常了不起的数字,不仅仅是对硅基 GaN LED芯片而言,放眼整个LED产业,只有科锐和飞利浦量产了光效超过190 lm/W的产品。由于硅晶圆直径更大、成本更低廉,而且可以与现代半导体生产线相兼容的制程,因此与蓝宝石和碳化硅衬底相比,其成本优势非常明显。Plessey半导体公司Samir Mezouari博士曾表示,经过合理的预估,与传统的衬底技术相比,采用硅衬底将可节省80%的成本。由此可见,190 lm/W这个数字将使得硅基LED在LED照明等领域实现飞跃式的发展。

东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司在接受《LEDs科技》杂志编辑采访时表示,目前东芝的最新第三代硅基LED芯片光效已突破145 lm/W,光效为170 lm/W的产品将于2015年3月前推出,而190 lm/W的产品也将在2015年推出。

市场调研公司 HIS曾做过大胆的预测:2013—2020年硅基LED市场的年复合增长率将达到69%,到2020年它将占LED芯片市场的40%。

对于硅基LED技术,业界质疑的声音要比以往小了很多,照明行业也在期待硅基LED技术的快速成熟,因为成本是横亘在LED前进道路上重要阻碍,而硅衬底更具成本优势。由于GaN和硅之间存在晶格系数和热膨胀系数大失配,硅基LED的良率成为了业界主要关心所在,但这个问题也将不再是问题。

早在今年6月,三星就宣布将在2015年推出良品率超过90%的硅基LED。而另一个活跃的硅基LED供应商Plessey早前发布的6英寸硅基LED的良率就已经超过95%。东芝并没有公布产品良率方面的数据,不过作为全球第一家量产硅基LED的厂商,相信它在这方面势必有相当大的实力。

CSP封装

芯片级封装(CSP)是所谓的无封装LED技术常见架构之一,目前是行业的热门封装技术。这种技术是指在LED芯片生产后,省却后段封装及导线架步骤,直接导入灯具系统中。这种技术由于无需导线架,因此其体积更小,成本也会有所下降,更低成本,另外发光角度也更大。日亚化学、科锐和隆达等许多主流厂商纷纷发布相关产品,东芝也发布了一系列相关产品。

东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司在接受《LEDs科技》杂志编辑采访时表示,目前东芝的最新第三代硅基LED芯片光效已突破145 lm/W,光效为170 lm/W的产品将于2015年3月前推出,而190 lm/W的产品也将在2015年推出。

其中,东芝现已量产的光效最高的产品为TL1L3LED,该产品采用了3535的超小芯片级封装,具有2700K和6500K两种色温选择,光通量分别达到112流明和145流明,该产品的显色指数一般最低为80,在色温5000K、流明输出更高的LED封装中,其显色指数超过70。

而东芝推出最小照明用白色LED尺寸仅0.65mm,其封装面积比竞争对手的产品削减了50%以上,与该公司的原产品相比削减了90%左右。因此,可以让光源变得非常小,照明设计的灵活性增大,而且还可以用于此前无法封装光源的空间(如细线状的基板)。


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